LET-5000系列 半導體靜態(tài)參數測試系統-云帆興燁
產(chǎn)品描述
LET-5000半導體測試系統是一款測量與分析功率半導體器件靜態(tài)參數的專(zhuān)用儀器,為所有類(lèi)型的功率半導體器件提供靜態(tài)參數測量解決方案。
LET-5000半導體測試系統能在2200V(可擴展為8000V)和1000A (可擴展為6000A)的條件下實(shí)現精確測量、分析功率半導體器件的靜態(tài)參數。
LET-5000具有快脈沖能力,并具有優(yōu)異的寬電壓和電流測量能力。
這些功能能夠對最新的器件(例如 IGBT)和新型材料(例如 GaN 和 SiC)進(jìn)行測量,可以測試器件包括:MOSFET、IGBT、二極管、三極管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000由多個(gè)獨立的高精度源組成,每個(gè)功率源模塊上配備兩個(gè)獨立的模數(AD)轉換器支持2μs采樣率,每個(gè)模塊上的驅動(dòng)能夠獨立精確控制,對有可能影響器件特性的關(guān)鍵計時(shí)進(jìn)行精確監測。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA 級漏電流測量能力等特點(diǎn),支持高壓模式下功率器件結電容測試,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
被測對象及主要測試參數
被測對象 | 主要測試參數 |
分立器件 | Id-Vg,Id-Vd,Ic-Vc,二極管 |
雙極 | Ic-Vc、二極管、Gummel 圖、擊穿、hfe、電容 |
Coms | Id-Vg、Id-Vd、Vth、擊穿、電容、QSCV等 |
內存 | Vth、電容、耐久測試等。 |
MOSFET | Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,電容 |
IGBT | Ic-Vce,Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),擊穿 |
太陽(yáng)能電池 | I-V、Cp-V、奈奎斯特圖、DLCP 等。 |
納米器件 | 電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
GaN | FET 電流衰減、Id-Vds 電流衰減、二極管電流 |
LET-5000系統參數:
集電極-發(fā)射極
測量電壓:
標配:2200V
選件1:3500V
選件2:8000V
測量電流:
標配:1000A
選件1:2000A
選件2:3000A
選件3:4000A
選件4:5000A
選件5:6000A
精度:0.10%
漏電流測試范圍:1nA~100mA
柵極-發(fā)射極
最大電壓:300V
最大電流:10A
精度:0.05%
電壓分辨率:30μV
電流分辨率:10pA
電容測試精度:0.50%
頻率范圍:10Hz-1MHz
電容值范圍:0.01pF-9.9999F
訂貨規格:
LET-5210 電壓范圍:0-2200V,電流范圍:0-1000A
LET-5220 電壓范圍:0-2200V,電流范圍:0-2000A
LET-5230 電壓范圍:0-2200V,電流范圍:0-3000A
LET-5240 電壓范圍:0-2200V,電流范圍:0-4000A
LET-5250 電壓范圍:0-2200V,電流范圍:0-5000A
LET-5260 電壓范圍:0-2200V,電流范圍:0-6000A
LET-5310 電壓范圍:0-3500V,電流范圍:0-1000A
LET-5320 電壓范圍:0-3500V,電流范圍:0-2000A
LET-5330 電壓范圍:0-3500V,電流范圍:0-3000A
LET-5340 電壓范圍:0-3500V,電流范圍:0-4000A
LET-5350 電壓范圍:0-3500V,電流范圍:0-5000A
LET-5360 電壓范圍:0-3500V,電流范圍:0-6000A
LET-5810 電壓范圍:0-8000V,電流范圍:0-1000A
LET-5820 電壓范圍:0-8000V,電流范圍:0-2000A
LET-5830 電壓范圍:0-8000V,電流范圍:0-3000A
LET-5840 電壓范圍:0-8000V,電流范圍:0-4000A
LET-5850 電壓范圍:0-8000V,電流范圍:0-5000A
LET-5860 電壓范圍:0-8000V,電流范圍:0-6000A